Эмиттер коллектор база сток исток

Транзисторы — принцип работы и основные параметры.

Как устроен транзистор.

Вне зависимости от принципа работы, полупроводниковый транзистор содержит в себе монокристалл из основного полупроводникового материала, чаще всего это — кремний, германий, арсенид галлия. В основной материал добавлены, легирующие добавки для формирования p-n перехода(переходов), металлические выводы.

Кристалл помещается в металлический, пластиковый или керамический корпус, для защиты от внешних воздействий. Однако, существуют также и бескорпусные транзисторы.

Принцип работы биполярного транзистора.

Биполярный транзистор может быть либо p-n-p, либо n-p-n в зависимости от чередования слоев полупроводника в кристалле. В любом случае выводы называются — база, коллектор и эмиттер. Слой полупроводника, соответствующий базе заключен между слоями эмиттера и коллектора. Он имеет принципиально очень малую ширину. Носители заряда движутся от эмиттера через базу — к коллектору. Условием возникновения тока между коллектором и эмиттером является наличие свободных носителей в области базы. Эти носители проникают туда при возникновении тока эмиттер-база. причиной которого может являться разность напряжения между этими электродами.

Т.е. — для нормальной работы биполярного транзистора в качестве усилителя сигнала всегда необходимо присутствие напряжения некого минимального уровня, для смещения перехода эмиттер-база в прямом направлении. Прямое смещение перехода база-эмиттер приоткрывая транзистор, задает так называемую — рабочую точку режима. Для гармоничного усиления сигнала по напряжению и току используют режим — А. В этом режиме напряжение между коллектором и нагрузкой, примерно равно половине питающего напряжения — т. е выходное сопротивление транзистора и нагрузки примерно равны . Если подавать теперь на переход база — эмиттер сигнал переменного тока, СОПРОТИВЛЕНИЕ эмиттер — коллектор будет изменяться, графически повторяя форму входного сигнала. Соответственно, то же будет происходить и с током через эмиттер к коллектору протекающим. Причем амплитуда тока будет большей, нежели амплитуда входного сигнала — будет происходить усиление сигнала.

Если увеличивать напряжение смещения база — эмиттер дальше, это приведет к росту тока в этой цепи, и как результат — еще большему росту тока эмиттер — коллектор. В конце, концов ток перестает расти — транзистор переходит в полностью открытое состояние(насыщения). Если затем убрать напряжение смещения — транзистор закроется, ток эмиттер — коллектор уменьшится, почти исчезнет. Так транзистор может работать в качестве электронного ключа. Этот режим наиболее эффективен в отношении управления мощностями, при протекании тока через полностью открытый транзистор величина падения напряжения минимальна. Соответственно малы потери тока и нагрев переходов транзистора.

Существует три вида подключения биполярного транзистора. С общим эмиттером (ОЭ) — осуществляется усиление как по току, так и по напряжению — наиболее часто применяемая схема.
Усилительные каскады построенные подобным образом, легче согласуются между собой, так как значения их входного и выходного сопротивления относительно близки, если сравнивать с двумя остальными видами включения (хотя иногда и отличаются в десятки раз).

С общим коллектором (ОК) осуществляется усиление только по току — применяется для согласования источников сигнала с высоким внутренним сопротивлением(импендансом) и низкоомными сопротивлениями нагрузок. Например, в выходных каскадах усилителей и контроллеров.

С общей базой (ОБ) осуществляется усиление только по напряжению. Имеет низкое входное и высокое выходное сопротивление и более широкий частотный диапазон. Это позволяет использовать подобное включение для согласования источников сигнала с низким внутренним сопротивлением(импендансом) с последующим каскадом усиления. Например — в входных цепях радиоприемных устройств.

Принцип работы полевого транзистора.

Полевой транзистор, как и биполярный имеет три электрода. Они носят названия — сток, исток и затвор. Если на затворе отсутствует напряжение, а на сток подано положительное напряжение относительно истока, то между истоком и стоком через канал течет максимальный ток.

Т. е. — транзистор полностью открыт. Для того, что бы его изменить, на затвор подают отрицательное напряжение, относительно истока. Под действием электрического поля (отсюда и название транзистора) канал сужается, его сопротивление растет, а ток через него уменьшается. При определенном значении напряжения канал сужается до такой степени, что ток практически исчезает — транзистор закрывается.

На рисунке изображено устройство полевого транзистора с изолированным затвором(МДП).

Если на затвор этого прибора не подано положительное напряжение, то канал между истоком и стоком отсутствует и ток равен нулю. Транзистор полностью закрыт. Канал возникает при некотором минимальном напряжении на затворе(напряжение порога). Затем сопротивление канала уменьшается, до полного открывания транзистора.

Полевые транзисторы, как с p-n переходом (канальные), так и МОП (МДП) имеют следующие схемы включения: с общим истоком (ОИ) — аналог ОЭ биполярного транзистора; с общим стоком (ОС) — аналог ОК биполярного транзистора; с общим затвором (ОЗ) — аналог ОБ биполярного транзистора.

По рассеиваемой в виде тепла мощности различают:
маломощные транзисторы — до 100 мВт ;
транзисторы средней мощности — от 0,1 до 1 Вт;
мощные транзисторы — больше 1 Вт.

Важные параметры биполярных транзисторов.

1. Коэффициент передачи тока(коэффициент усиления) — от 1 до 1000 при постоянном токе. С увеличением частоты постепенно снижается.
2. Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером(при разомкнутой базе) У специальных высоковольтных транзисторов, достигает десятков тысяч вольт.
3.Предельная частота, до которой коэффициент передачи тока выше 1. До 100000 гц. у низкочастотных транзисторов, свыше 100000 гц. — у высокочастотных.
4.Напряжение насыщения эмиттер-коллектор — величина падения напряжения между этими электродами у полностью открытого транзистора.

Важные параметры полевых транзисторов.

Усилительные свойства полевого транзистора определяются отношением приращения тока стока к вызвавшему его приращению напряжения затвор — исток, т. е.

Это отношение принято называть крутизной прибора, а по сути дела оно является передаточной проводимостью и измеряется в миллиамперах на вольт(мА /В).

Другие важнейшие параметры полевых транзисторов приведены ниже:
1. IDmax — максимальный ток стока.

2.UDSmax — максимальное напряжение сток-исток.

3.UGSmax — максимальное напряжение затвор-исток.

4.РDmax — максимальна мощность, которая может выделяться на приборе.

5.ton — типовое время нарастания тока стока при идеально прямоугольной форме входного сигнала.

6.toff — типовое время спада тока стока при идеально прямоугольной форме входного сигнала.

7.RDS(on)max — максимальное значение сопротивления исток — сток в включенном(открытом) состоянии.

Использование каких — либо материалов этой страницы, допускается при наличии ссылки на сайт «Электрика это просто».

www.elektrikaetoprosto.ru

Что такое транзистор — разновидности полупроводниковых приборов и способы проверки.

Первоначальное название радиодетали – триод, по числу контактов. Этот радиоэлемент способен управлять током в электрической цепи, под воздействием внешнего сигнала. Уникальные свойства применяются в усилителях, генераторах и других аналогичных схемных решениях.

Долгое время в радиоэлектронике царствовали ламповые триоды. Внутри герметичной колбы, в специальной газовой или вакуумной среде размещались три основных компонента триода:

Когда на сетку подавался управляющий сигнал небольшой мощности, между катодом и анодом можно было пропускать несравнимо большие значения. Величина рабочего тока триода многократно выше, чем управляющего. Именно это свойство позволяет радиоэлементу выполнять роль усилителя.

Триоды на основе радиоламп работаю достаточно эффективно, особенно при высокой мощности. Однако габариты не позволяют применять их в современных компактных устройствах.

Представьте себе мобильный телефон или карманный плейер, выполненный на таких элементах.

Вторая проблема заключается в организации питания. Для нормального функционирования, катод должен быть сильно разогрет, чтобы началась эмиссия электронов. Нагрев спирали требует много электроэнергии. Поэтому ученые всего мира всегда стремились создать более компактный прибор с такими же свойствами.

Первые образцы появились в 1928 году, а в середине прошлого столетия был представлен работающий полупроводниковый триод, выполненный по биполярной технологии. За ним закрепилось название «транзистор».

Что такое транзистор?

Транзистор – полупроводниковый электроприбор в корпусе или без него, имеющий три контакта для работы и управления. Главное свойство такое же, как у триода – изменение параметров тока между рабочими электродами при помощи управляющего сигнала.

Благодаря отсутствию необходимости разогрева, транзисторы затрачивают мизерное количество энергии на обеспечение собственной работоспособности. А компактные размеры рабочего полупроводникового кристалла, позволяют использовать радиодеталь в малогабаритных конструкциях.

Благодаря независимости от рабочей среды, кристаллы полупроводника можно использовать как в отдельном корпусе, так и в микросхемах. В комплекте с остальными радиоэлементами, транзисторы выращивают прямо на монокристалле.

Выдающиеся механические свойства полупроводника нашли применение в подвижных и переносных устройствах. Транзисторы нечувствительны к вибрации, резким ударам. Обладают неплохой температурной стойкостью (при сильной нагрузке применяют радиаторы охлаждения).

Поэтому достаточно быстро ламповые триоды были вытеснены компактными, прочными и недорогими транзисторами.

Однако применение радиоламп не прекращено. В мощных радиопередатчиках, генераторах – ламповые усилители успешно применяются. Некоторые возможности мощных радиоламп недостижимы (или реализация имеет слишком высокую цену) для полупроводниковых приборов.

[tip]Это интересно! В бытовом исполнении часто можно встретить современные ламповые приборы. Например, любимые меломанами усилители звука. Считается, что их звучание более мягкое.[/tip]

Классификация транзисторов

По структуре кристалла. Основных направлений конструкции (а стало быть, и свойств детали) – два. Они наглядно изображены на иллюстрации:

Чтобы понять, что такое транзистор – необходимо знать принцип его работы.

В этом видео подробно о структуре транзистора, для чего он нужен и как он работает.

Полевые транзисторы

Работают точно так же, как вакуумные триоды. Имеют два рабочих вывода (сток и исток) и управляющий (затвор). Электрический ток протекает между стоком и истоком с интенсивностью, которая зависит от управляющего сигнала. Сигнал в виде поперечного электрического поля формируется между затвором и стоком или затвором и истоком.

Все разновидности полевых транзисторов на иллюстрации:

Рассмотрим основные виды:

Управляющий p-n переход.
Сток и исток подключены к полупроводниковой пластине. Она может быть n- или p- типа. Управляющий электрод соединен с пластиной при помощи p-n перехода. Управляющий сигнал малой мощности открывает p-n канал, заставляя транзистор работать в режиме усиления сигнала.

Прекращение подачи управляющего сигнала приводит к отключению канала. Разумеется, между управляющим сигналом и рабочим током существует линейная зависимость.

Главная особенность полевого транзистора – управление осуществляется не током, а напряжением. Применение полевых транзисторов – в основном интегральные схемы. Мизерное (близкое к нулю) потребление электроэнергии, позволяет использовать радиодетали в системах с компактными и маломощными источниками питания, например – наручных часах.

Полевые транзисторы большой мощности применяются в качественных звуковых усилителях, в качестве альтернативы вакуумным триодам.

Разумеется, как и любая другая деталь – полевики могут выходить из строя. Чтобы по ошибке не выбросить исправную деталь, можно проверить транзистор в домашних условиях

Как прозвонить полевой транзистор мультиметром?

  • Переводим тестер в режим проверки диодов. За виртуальный диод принимается переход между стоком и истоком. Исправный переход работает в точности, как полупроводниковый диод;
  • Соединяем плюсовой контакт измерительного провода с истоком, минусовой со стоком. Если транзистор исправен – показания мультиметра должны быть в пределах 500-600;
  • Чтобы проверка была окончательной, необходимо проверить протекание тока в обратном направлении. Меняем полярность подключения. Тестер показывает условно бесконечное сопротивление. На дисплее цифра 1.
  • Проверка полевого транзистора не ограничена тестированием перехода на проводимость. Надо проверить открытие рабочего канала. Специального источника питания не нужно, мы рассматриваем способ, как проверить транзистор мультиметром автономно. Достаточно питания тестера, чтобы открыть переход. Минусовой щуп подключаем к истоку, плюсовой к управляющему затвору. У исправного транзистора откроется канал исток-сток.
  • Прозвонка транзистора в канале исток-сток покажет падение напряжения на канале p-n перехода.
  • Меняем полярность на электродах исток-сток. Если транзистор исправен – канал p-n перехода закроется. Проверяем ток в канале исток-сток — проверка транзистора мультиметром показывает закрытый p-n переход.

МДП транзистор с изолированным затвором.
В отличие от предыдущей модели – затвор отделен от канала диэлектриком. Так называемое срабатывание затвора возникает только при достижении определенного напряжения и заданной полярности.

Такие транзисторы имеют узкую специализацию, и применяются в основном в составе микросхем. Методика, как проверить полевой транзистор тут не подходит. Собственно, это и не нужно, транзисторы штучно практически не используются.

Для закрепления прочитанного, смотрите видео на тему: Как проверить полевой транзистор мультиметром.

Биполярные транзисторы

Метод работы принципиально отличается от полевых полупроводниковых триодов. На полупроводниковом кристалле создается два p-n перехода.

Рабочий ток образуется за счет переноса заряда либо электронами, либо так называемыми дырками. То есть ток может протекать в любом (но только одном) направлении. Поэтому транзисторы такого типа именуются биполярными.

Биполярный транзистор, как и любой другой, имеет три вывода.

  1. База. Соединяется со средним слоем полупроводника;
  2. Эмиттер и коллектор. Эти контакты имеют соединение с внешними слоями кристалла.

Благодаря универсальности работы, на биполярниках выполняется множество схем – в основном усилительные.

  • Схема с общей базой. Универсально подключение. Щадящий режим, но при этом способность усиливать рабочий сигнал – слабая;
  • Схема с общим эмиттером. Очень высокий КПД, рабочий сигнал усиливается с максимально возможным коэффициентом. Недостатки – сложный расчет сопротивления на входе (при проектировании схем) и сильная зависимость от температуры;
  • Схема с общим коллектором. В сравнение с предыдущим вариантом включения, способность усиления сигнала существенно меньше. Можно эффективно использовать входное сопротивление элемента.
  • Режимы работы транзисторов, выполненных по биполярной технологии:

    Активный режим прямой.
    Эмиттер-база в открытом состоянии, коллектор-база закрыт. Как проверить транзистор мультиметром в таком режиме? Зная схему подключения – как обычный диод.

    Активный режим инверсия.
    Эмиттер-база закрыт, коллектор-база открыт. Проверка радиоэлемента проводится аналогичным способом, только полярность тестера обратная.

    Насыщение.
    Переходы находятся в открытом состоянии. Запуск такого режима осуществляется одновременным подключением к внешнему источнику обоих переходов. Состояние стабильное.

    Отсечка.
    Коллекторный переход включен в инверсном направлении. Эмиттерный переход работает в двух направлениях. Важно! Для обеспечения режима нельзя подавать напряжение выше порога срабатывания.

    Барьер.
    База подключена к коллектору. Для мягкости работы последовательно с рабочей цепью подключается резистор. Схему можно использовать в качестве диода с резистивным ограничителем по току.

    Если вы разобрались в принципе работы, вопросов как прозвонить транзистор возникнуть не должно. С точки зрения мультиметра, транзистор – это набор диодов. При понимании, в каком направлении открыты p-n переходы, проверка сводится к прозвонке виртуальных диодов.

    Смотрите подробное видео про биполярные транзисторы, их структуру и способы применения в электронике.

    obinstrumente.ru

    Расчет тока базы транзистора

    «Справочник» — информация по различным электронным компонентам : транзисторам, микросхемам, трансформаторам, конденсаторам, светодиодам и т.д. Информация содержит все, необходимые для подбора компонентов и проведения инженерных расчетов, параметры, а также цоколевку корпусов, типовые схемы включения и рекомендации по использованию радиоэлементов .

    Для того, чтобы правильнее понять процедуру расчета, необходимо понимать каких видов и типов бывают транзисторы и в каких режимах они могут работать.

    Типы транзисторов и режимы работы

    Различают два основных класса триодов (транзисторов):

    1. Биполярные (управляются током на база-эмиттерном переходе, конструктивно имеют два различных перехода p-n и n-p, то есть могут быть n-p-n или p-n-p типа);

    2. Униполярные или полевые (управляются напряжением на база-эмиттерном переходе, конструктивно состоят из двух однотипных переходов p-n или n-p, выделяют два типа полевых транзисторов – с изолированным затвором и с затвором из p-n-перехода).

    Здесь для понимания обозначений:

  • p-n – дырочно-электронный (основной носитель – пустые места в кристаллической решетке, понимаемые под положительным зарядом),
  • n-p – электронно-дырочный переход (основной носитель – электроны).
  • Чтобы исключить путаницу, вводы и выводы различных классов транзисторов называются по-разному:

  • В биполярных – база, эмиттер, коллектор;
  • В полевых – исток, сток, затвор.
  • Так как речь идет о расчете тока базы, то далее рассмотрим режимы работы только полевых транзисторов:

    1. Активный режим (напряжение эмиттер-база > 0, напряжение коллектор-база UC

    www.radioradar.net

    Немного о транзисторах.

    Пожалуй, сегодня сложно представить себе современный мир без транзисторов, практически в любой электронике, начиная от радиоприёмников и телевизоров, заканчивая автомобилями, телефонами и компьютерами, так или иначе, они используются.

    Различают два вида транзисторов: биполярные и полевые. Биполярные транзисторы управляются током, а не напряжением. Бывают мощные и маломощные, высокочастотные и низкочастотные, p-n-p и n-p-n структуры. Транзисторы выпускаются в разных корпусах и бывают разных размеров, начиная от чип SMD (на самом деле есть намного меньше чем чип) которые предназначены для поверхностного монтажа, заканчивая очень мощными транзисторами. По рассеиваемой мощности различают маломощные до 100 мВт, средней мощности от 0,1 до 1 Вт и мощные транзисторы больше 1 Вт.

    Когда говорят о транзисторах, то обычно имеют в виду биполярные транзисторы. Биполярные транзисторы изготавливаются из кремния или германия. Биполярными они названы потому, что их работа основана на использовании в качестве носителей заряда как электронов, так и дырок. Транзисторы на схемах обозначаются следующим образом:

    Одну из крайних областей транзисторной структуры называют эмиттером. Промежуточную область называют базой, а другую крайнюю — коллектором. Эти три электрода образуют два p-n перехода: между базой и коллектором — коллекторный, а между базой и эмиттером — эмиттерный. Как и обычный выключатель, транзистор может находиться в двух состояниях — во «включенном» и «выключенном». Но это не значит, что они имеют движущиеся или механические части, переключаются они из выключенного состояния во включенное и обратно с помощью электрических сигналов.

    Транзисторы предназначены для усиления, преобразования и генерирования электрических колебаний. Работу транзистора можно представить на примере водопроводной системы. Представьте смеситель в ванной, один электрод транзистора — это труба до краника (смесителя), другой (второй) – труба после краника, там где у нас вытекает вода, а третий управляющий электрод – это как раз краник, которым мы будем включать воду.
    Транзистор можно представить как два последовательно соединенных диода, в случае NPN аноды соединяются вместе, а в случае PNP – соединяются катоды.

    Различают транзисторы типов PNP и NPN, PNP транзисторы открываются напряжением отрицательной полярности, NPN — положительной. В NPN транзисторах основные носители заряда — электроны, а в PNP — дырки, которые менее мобильны, соответственно NPN транзисторы быстрее переключаются.

    Uкэ = напряжение коллектор-эмиттер
    Uбэ = напряжение база-эмиттер
    Ic = ток коллектора
    Iб = ток базы

    В зависимости от того, в каких состояниях находятся переходы транзистора, различают режимы его работы. Поскольку в транзисторе имеется два перехода (эмиттерный и коллекторный), и каждый из них может находиться в двух состояниях: 1) открытом 2) закрытом. Различают четыре режима работы транзистора. Основным режимом является активный режим, при котором коллекторный переход находится в закрытом состоянии, а эмиттерный – в открытом. Транзисторы, работающие в активном режиме, используются в усилительных схемах. Помимо активного, выделяют инверсный режим, при котором эмиттерный переход закрыт, а коллекторный — открыт, режим насыщения, при котором оба перехода открыты, и режим отсечки, при котором оба перехода закрыты.

    При работе транзистора с сигналами высокой частоты время протекания основных процессов (время перемещения носителей от эмиттера к коллектору) становится соизмеримым с периодом изменения входного сигнала. В результате способность транзистора усиливать электрические сигналы с ростом частоты ухудшается.

    Некоторые параметры биполярных транзисторов

    Постоянное/импульсное напряжение коллектор – эмиттер.
    Постоянное напряжение коллектор – база.
    Постоянное напряжение эмиттер – база.
    Предельная частота коэффициента передачи тока базы
    Постоянный/импульсный ток коллектора.
    Коэффициент передачи по току
    Максимально допустимый ток
    Входное сопротивление
    Рассеиваемая мощность.
    Температура p-n перехода.
    Температура окружающей среды и пр…

    Граничное напряжение Uкэо гр. является максимально допустимым напряжение между коллектором и эмиттером, при разомкнутой цепи базы и токе коллектора. Напряжение на коллекторе, меньше Uкэо гр. свойственны импульсным режимам работы транзистора при токах базы, отличных от нуля и соответствующих им токах базы (для n-p-n транзисторы ток базы >0, а для p-n-p наоборот, Iб Оценить Сбросить

    Средний балл статьи: 4.8 Проголосовало: 4 чел.

    cxem.net

    survivaldead

    Зарубежные Полевые Транзисторы Справочник

    В таблицах приведены параметры отечественных и зарубежных биполярных и полевых транзисторов (звёздочкой помечены составные транзисторы). Приведём назначения буквенных обозначений параметров транзисторов, используемых в таблицах:.

    В справочнике приведены параметры транзисторов описание биполярных. полевых, транзисторов дарлингтона и др., зарубежного производства.

    Www.platan.ru • 97 000 99 • [email protected] 73. 2. ТРАНЗИСТОРЫ. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ИМПОРТНЫЕ. Наименование. Структура. Макс. напр.

    Uкбо — максимально допустимое напряжение коллектор — база;. Uкб, max — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — база;. Uкэr — постоянное напряжение коллектор — эмиттер при заданном сопротивлении в цепи база — эмиттер;. Uкэо гр.

    — граничное напряжение транзистора — напряжение между коллектором и эмиттером при разомкнутой цепи базы и заданном токе эмиттера;. Uкэ и max — максимально допустимое импульсное напряжение коллектор — эмиттер;.

    Uкэн — напряжение насыщения коллектор — эмиттер;. Uси max — максимально допустимое напряжение сток — исток;. Uсио — напряжение сток — исток при оборванном затворе;. Uзи max — максимально допустимое напряжение затвор — исток;. Uзи отс — напряжение отсечки транзистора, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с р-п переходом, и с изолированным затвором);.

    Uзи пор — пороговое напряжение транзистора между затвором и стоком, при котором ток стока достигает заданного низкого значения (для полевых транзисторов с изолированным затвором и п-каналом);. Iк max — максимально допустимый постоянный ток коллектора;. Iк и max — максимально допустимый импульсный ток коллектора;. Ic mах — максимально допустимый постоянный ток стока;.

    • В данном материале предоставляется справочная информация по зарубежным полевым транзисторам большой мощности. В таблице указаны только.
    • Петухов В.М. Полевые и высокочастотные биполярные транзисторы средней и большой мощности и их зарубежные аналоги. (1997) Справочник.
    • Iс max — начальный ток стока;. Ic ост — остаточный ток стока;. Iкбо — обратный ток коллектора;.

      Iкэо — обратный ток коллектор-эмиттер при разомкнутом выводе базы;. Iз ут. — ток утечки затвора;. Рк max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода;. Рк т max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом;. Рси mаx — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток — исток без теплоотвода;.

      Www.platan.ru • 97 000 99 • [email protected] 73. 2. ТРАНЗИСТОРЫ. ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ ИМПОРТНЫЕ. Наименование. Структура. Макс. напр.

      Рси т max — максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность сток — исток с теплоотводом;. Ри max — максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность биполярного (полевого) транзистора;. Рвых.

      Кроме этого выпускаются полевые транзисторы с управлением сигналом Полевые транзисторы имеют очень высокое входное сопротивление и. Полевые транзисторы, включенные в справочник, упорядочены по току и напряжению.

      — выходная мощность биполярного (полевого) транзистора;. h21э — статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером;. Rси отк — сопротивление сток — исток в открытом состоянии;. Ск — ёмкость коллекторного перехода;.

      С 11 и — входная ёмкость полевого транзистора;. S — крутизна характеристики;. fгр. — граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером;.

      fраб, mах — максимальная рабочая частота транзистора;. Кур — коэффициент усиления по мощности биполярного (полевого) транзистора;. tрас. — время рассасывания для биполярного транзистора (для транзисторов КТ601- КТ997 этот параметр указан в круглых скобках в предпоследней колонке);. tcп. — время спада для биполярного (полевого) транзистора;.

      tк — постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте бипопярного транзистора;.

      lesnoeozero.weebly.com